三星電子德州廠 2 奈米製程開始試營運！正面挑戰台積電美國廠
三星電子（Samsung Electronics）在德州泰勒市花了 170 億美元打造的 2nm 晶圓廠已正式進入試營運階段，EUV 光刻機啟動測試，目標 2026 年風險試產、2027 年全面量產，月產能上看 50,000 片晶圓。
（前情提要：台積電亞利桑那廠首批晶圓出貨！NVIDIA AI晶片需回「臺灣娘家」封裝）
（背景補充：台積電2奈米晶片太貴！傳蘋果iPhone 17 Pro續用3nm，輝達、高通恐轉單？）。
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- 比韓國本地還大的廠區
- 資料：GAA 架構＋60% 良率
- 對上台積電 AI 晶片訂單大餅
170 億美元、485 萬平方公尺、每天超過 7,000 人進出工地，三星電子（Samsung Electronics）在德州泰勒市砸下的這座晶圓廠，終於到了真正開機的時刻。
根據 Tom’s Hardware、TrendForce 等多家科技媒體的綜合報導，泰勒廠已進入試營運階段，EUV（極紫外光）光刻機測試正式啟動，蝕刻與沉積等主要裝置也在分階段上線中。
比韓國本地還大的廠區
三星德州廠的規模非常驚人，485 萬平方公尺的廠區面積，超過三星在韓國平澤廠（289 萬平方公尺）加華城廠（157 萬平方公尺）的總和。
目前德州廠區內辦公區已有 1,000 人駐紮上班，工地現場每天出入人數達 7,000 人。三星外派大批「王牌級」工程師到場坐鎮，擺出嚴肅對待先進製程的態度。
這座工廠最初是為 4 奈米製程規劃，後來整個轉型為 2 奈米生產中心。今年 2 月廠區部分割槽域（約 8,175 平方公尺）已取得臨時佔用許可（TCO），代表裝置安裝與基礎測試可以正式展開。
資料：GAA 架構＋60% 良率
技術面上，三星德州廠採用 GAA（Gate-All-Around，環繞式閘極）架構的 SF2 製程，這也是三星在 2nm 世代押注的核心技術路線。
目前良率約落在 60%，部分報導指出改進版 SF2P 製程已可達到 70%。對於剛進入試營運的晶圓廠來說，這個數字還算合理的起點，後續隨著量產磨合，良率通常會逐步爬升。
月產能目標設定在 50,000 片晶圓（WSPM）。時程規劃上 2026 年進入風險試產（risk production），趕著 2027 年全面量產。
另外三星在製程中加入了 EUV 光罩保護膜（pellicle）技術，這是提升 EUV 曝光穩定性的關鍵配件，也是先進製程量產良率的重要一環。
對上台積電 AI 晶片訂單大餅
德州廠試營運啟動的時間點，剛好是台積電亞利桑那廠也在衝刺 2nm 量產的節骨眼，兩家晶圓巨頭都把目標瞄準 2026 到 2027 年，戰場就是 NVIDIA、AMD、Tesla 等 AI 晶片大客戶的訂單。
三星想要德州廠的實際表現，良率資料、製程穩定性、交期可靠度，能說服這些客戶，可以接下大規模 AI 晶片代工。
相比之下，韓國本土的平澤 P4 廠產線建設已傳出明顯放慢，資源優先推往美國先進產能走。這座工廠同時也受益於美國 CHIPS 法案的補貼支援。三星現在要靠著美國的晶片需求拼回大餅的分潤權。
